91亚洲无码在线观看,国产丝雨多人互换在线观看,无码人妻一区二区三区一,岛国三级片免费看久久

用戶至上，綠色環保

東莞市中微力合半導體科技有限公司

用戶至上，綠色環保

東莞市中微力合半導體科技有限公司

上一個 

下一個 

產品中心

方塊

金剛石研磨墊是利用金剛石微粉與樹脂復合而成的，具有超高的磨削效率和磨削精度，且使用壽命長。典型工藝：金剛石盤粗磨--金剛石盤中磨--減薄墊超精細研磨--拋光墊拋光成型。尺寸：直徑50mm--3000mm；粒度：200#--30000#。

更多

蜂窩精磨墊

本公司研發的新型蜂窩墊是由多種有機高分子聚合經過特殊工藝貼合而成。正面是正六邊形網孔構成，孔深度0.8~1.2mm，正六邊形孔對角線長4~5mm。研磨面（即孔間距）寬度1.2~1.5mm.

更多

點狀

金剛石研磨墊是利用金剛石微粉與樹脂復合而成的，具有超高的磨削效率和磨削精度，且使用壽命長。典型工藝：金剛石盤粗磨--金剛石盤中磨--減薄墊超精細研磨--拋光墊拋光成型。尺寸：直徑50mm--3000mm；粒度：200#--30000#。

更多

高效藍寶石粗磨液Z-W40

Z-W40是一款藍寶石晶片粗磨液，用于藍寶石晶片研磨工藝，以低粗糙度方式快速接近目標尺寸。實現晶片初期平整化。與傳統的研磨理念相比，Z-W40具有超高研磨效率（5-10um/min,90g/cm2），低粗糙度下尺寸（Ra值0.3-0.4um），環保友好（不傷手、無腐蝕性），不粘設備極易清洗等特點。

更多

302W

聚晶金剛石研磨液就是用復合磨料，通過添加分散劑等方式分散到液體介質中，從而形成具有磨削作用的液體。配方多樣化，對應不同的研拋過程和工件適用性強。產品分散性好、粒度均勻、規格齊全、質量穩定，廣泛用于硬質材料的研磨和拋光。

更多

W3

金剛石研磨液就是以金剛石為磨料，通過添加分散劑等方式分散到液體介質中，從而形成具有磨削作用的液體。配方多樣化，對應不同的研拋過程和工件適用性強。產品分散性好、粒度均勻、規格齊全、質量穩定，廣泛用于硬質材料的研磨和拋光。

更多

公司簡介

東莞市中微力合半導體科技有限公司成立于2014年11月，公司地址：位于東莞市松山湖園區工業南路14號天安云谷9號樓804室。公司技術骨干由清華大學博士后研發技術團隊組成，是一家以工研院公共技術服務平臺為支撐，聚焦納米材料表面改性，微觀粉體整形和溶膠拋光等技術研究應用的高科技公司。

公司專注于研磨的研發，生產，銷售與服務。目前應用領域有第三代半導體碳化硅晶圓襯底，藍寶石襯底及窗口片，陶瓷，單晶硅，玻璃，太陽能基板等基材的粗磨，中磨，精磨和高精度拋光產品。公司以粉體微觀整形和粉體復合改性角度和對產品進行研發設計，顛覆傳統的化學配方復合設計材料，產品拋光效率和性能處于世界先進水平

查看更多 +

新聞動態

17 2022-03

常用磨料的種類及用途有哪些？

我們平時常用的磨料有這幾大種類：一：氧化鋁系①棕剛玉：特性是硬度高，韌性大，價格便宜，一般應用于工業材料。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??②白剛玉：特性是硬度比棕剛玉高，韌性比棕剛玉低，一般應用于碳鋼、合金銅、銅等上面。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ③單晶剛玉：顆粒呈球狀，硬度和韌性比白剛玉高，應用于不銹鋼等強度高，韌性大的材料。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ④鉻剛玉：韌性比白剛玉高，磨削光潔度好，應用于儀表。量具及低粗糙度表面。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ⑤微晶剛玉：磨粒由微小晶體組成，強度高，應用于不銹鋼和特種球墨鑄鐵等二：碳化物系①黑碳化硅：硬度比白剛玉高，韌性而鋒利，應用于鑄鐵，黃銅。鋁和非金屬材料。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ②綠碳化硅：硬度僅次于碳化硼和金剛石，應用于硬質合金，硬鉻，寶石，陶瓷，玻璃等。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ③碳化硼：硬度僅次于金剛石，耐磨性好，應用于硬質合金，硬鉻，人造寶石等。三：金剛石系①人造金剛石：硬度高，比天然金剛石稍脆，表面粗糙 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ②天然金剛石：硬度最高，價格昂貴 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 兩者皆可應用于硬質合金，人造寶石，光學玻璃等硬脆材料。四：氮化硼：硬度僅次于金剛石應用于韌性材料，脆性材料均可磨。

查看詳情 

16 2022-03

磨料磨具的分類有哪些？

磨料磨具，是磨料和磨具的統稱，包括磨料產品和磨具產品。磨料磨具素有工業牙齒的美稱。在磨削時常用磨料或磨具作為磨削工具對需加工的零件進行機械加工，而達到一定的技術要求。其中磨料產品主要分為剛玉磨料和碳化硅磨料兩大類 1、棕剛玉磨料，主要成分是Al2O3，具有硬度中等，韌性大，顆粒鋒銳，價格比較低廉，適合加工抗張強度高的金屬。微晶剛玉磨料和黑剛玉磨料都是其派生品種。 2、白剛玉磨料，其硬度略高于棕剛玉，但韌性較差，磨削時易切入工件，自銳性好，發熱量較小，磨削能力強，效率高。鉻剛玉磨料是其派生品種。 3、單晶剛玉磨料，其顆粒是由單一晶體組成，并具有良好的多棱切削刃，較高的硬度和韌性、磨削能力強，磨削發熱量少，缺點是生產成本較高，產量較低，所以價格比較高。鋯剛玉磨料也是晶體化合物，硬度略低，晶體尺寸較細，耐磨性能好。 4、黑碳化硅磨料、綠碳化硅磨料、立方碳化硅磨料、鈰碳化硅磨料等，屬于碳化硅磨料，主要成份是碳化硅SiC，硬度高，脆性大，磨粒鋒利，導熱性較好，耐磨性較強，比較適合加工硬脆的金屬及非金屬產品。東莞市中微力合半導體科技有限公司成立于2014年11月，公司專注于研磨的研發，生產，銷售與服務。目前應用領域有第三代半導體碳化硅晶圓襯底，藍寶石襯底及窗口片，陶瓷，單晶硅，玻璃，太陽能基板等基材的粗磨，中磨，精磨和高精度拋光產品。公司以粉體微觀整形和粉體復合改性角度和對產品進行研發設計，顛覆傳統的化學配方復合設計材料，產品拋光效率和性能處于世界先進水平。歡迎新老客戶來電咨詢?。?！

查看詳情 

25 2021-08

化合物半導體襯底材料研究報告

化合物半導體襯底材料研究報告在整個半導體產業鏈中，半導體材料處于上游，中游為各類半導體元件，下游應用包括消費電子、通信、新能源、電力、交通等行業。隨著近年第二、三代化合物半導體借助其獨特的物理特性實現更廣泛的應用，其上游襯底材料砷化鎵、碳化硅、氮化鎵愈發得到國內重視，本篇研究報告將就這三類襯底材料進行重點介紹。 ? 一、化合物半導體材料概述化合物半導體是指兩種或兩種以上元素形成的半導體材料，按照元素數量可以分為二元化合物、三元化合物、四元化合物等，二元化合物半導體按照組成元素在化學元素周期表中的位置還可分為 III-V 族、IV-IV 族、II-VI族等。目前，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體材料已經成為繼硅之后發展最快、應用最廣、產量最大的半導體材料。（一）發展階段半導體襯底材料領域共經歷三個發展階段：第一階段是20世紀50年代起，以硅Si為代表的第一代半導體材料制成的二極管和晶體管取代了電子管，主要應用于低壓、低頻、低功率晶體管和探測器中，如電腦 CPU、GPU、內存、手機的SoC等器件，引發以集成電路為核心的微電子產業的迅速發展。但是硅材料的物理性質限制了其在光電子和高頻電子器件上的應用，如其間接帶隙的特點決定了它不能獲得高的電光轉換效率，且其帶隙寬度較窄（1.12 eV）、飽和電子遷移率較低（1450 cm2/V·s），不利于研制高頻和高功率電子器件。第二階段是20世紀90年代開始，隨著半導體產業的發展，硅材料的物理瓶頸日益突出，以砷化鎵GaAs、磷化銦InP為代表的第二代半導體材料嶄露頭角，相關器件制備技術逐漸成熟，使半導體材料進入光電子領域。GaAs良好的光學性能使得其在光學器件中廣泛應用，也應用在需要高速器件的特殊場合，是4G時代的大部分通信設備的材料，如毫米波器件、發光器件、衛星通訊、移動通訊、光通訊、GPS導航等。但是禁帶寬度（禁帶寬度反映了價電子被束縛強弱程度，直接決定著器件的耐壓和最高工作溫度）不夠大、擊穿電場較低，限制了其在高溫高頻和高功率器件領域的應用，且砷有毒。第三階段是近年來，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體材料，在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數方面具有顯著優勢，進一步滿足了現代工業對高功率、高電壓、高頻率的需求，作為5G時代的主要材料，用于高溫、高頻、抗輻射、大功率器件; 藍、綠、紫光二極管、半導體激光器等。（二）材料性能三代半導體材料比對 ? （三）主要應用目前全球95%以上的芯片和器件是以硅作為基底材料，由于硅材料具有極大的成本優勢，未來在各類分立器件和集成電路領域硅仍將占據主導地位，但是化合物半導體材料獨特的物理特性優勢，賦予其在射頻、光電子、功率器件等領域的獨特性能優勢。 ? 二、砷化鎵（GaAs）-第二代半導體材料（一）材料種類根據電阻的不同，砷化鎵材料可以分為半導體型和半絕緣型。半絕緣型砷化鎵襯底由于電阻率較高、高頻性能好，可制作 MESFET、HEMT 和 HBT 結構的電路，主要用于雷達、衛星電視廣播、微波及毫米波通信、無線通信（以手機為代表）及光纖通信等領域，主要用來制作手機中的 PA 元件，在高頻功率放大器市場上占據 85%的市場份額。半導體型砷化鎵單晶占整個 GaAs 市場的 60%左右,主要應用在 LED 和 VCSEL（垂直共振腔表面發射激光器）等光電子器件。（二）生產流程砷化鎵單晶片生產過程可分為：1、多晶清洗：砷化鎵多晶放入氨水、雙氧水及純水配置的混合液中，在清洗槽內用水進行清洗；用超聲波平振蕩機振洗，去除表面的雜質，然后用甲醇脫水；PBN 坩堝清洗與多晶清洗過程相同。2、單晶生長：清洗后的砷化鎵多晶放入PBN坩堝內，將坩堝放入石英管內后用真空泵對石英管抽真空，密封后外部包裹石英棉（保溫）裝入單晶爐中，使晶體在單晶爐內完成生長，長成單晶晶棒。3、脫模：單晶生長結束后，單晶爐進行降溫，降至常溫后用開管鋸將石英管切開，將結為一體的 PBN 坩堝和砷化鎵晶體分離后，取出砷化鎵晶體。4、晶體加工：取出的砷化鎵晶棒利用帶鋸切除尾蓋，外圓磨床磨外圓，利用內圓鋸取測試樣片，根據測試樣片判斷晶體的好壞。5、晶體切片：砷化鎵晶棒在多線切割機上切成一定厚度的晶片，切割時采用水基溶液和切割粉降溫處理。切割完成后將晶片沖洗，浸泡酒精后風干。6、晶片研磨：對清洗槽中晶片表面采用氨水、雙氧水和純水混合液進行預清洗，清洗晶片表面雜質顆粒，使表面更潔凈；然后利用研磨機晶片進行研磨，去除晶片損傷層，保證厚度一致性。7、晶片拋光：研磨后的晶片放入拋光機，在拋光液的作用下濕法拋光，使表面達到精細的鏡面，隨后在清洗槽中采用氨水、雙氧水和純水混合液進行表面清洗，后用甩干機進行脫水甩干。 8、晶片清洗：用氨水、雙氧水和純水混合液對晶片進行清洗，去除前道工序加工后晶片表面殘留的塵埃及化學殘留物，干燥后的晶片檢驗合格后包裝為成品。（三）單晶生長工藝從20世紀50年代開始，就已經開發出了多種砷化鎵單晶生長方法。目前主流的工業化生長工藝包括：液封直拉法（LEC）、水平布里奇曼法（HB）、垂直布里奇曼法（VB）以及垂直梯度凝固法（VGF）等。 ? （四）全球競爭格局化合物半導體因為行業整體規模較小，非標準化程度高，以代工模式為主。歐美主導砷化鎵產業鏈，中國臺灣廠商壟斷代工。日本的住友、德國的Freiberger和美國的AXT三家合計約占全球半絕緣型襯底90%的市場份額。受襯底尺寸限制，目前的生產線以4 英寸和6英寸晶圓為主，部分企業也開始導入8英寸產線，但還沒有形成主流。由于砷化鎵是以 Emitterbase-Collector垂直結構為主，晶體管數量只在百顆數量級；而硅晶圓是 Source Gate Drain的平面設計，晶體管數量達到數千萬數量級，所以砷化鎵在制程研發上并沒有像硅晶圓代工行業那樣明顯的優勢。住友是全球半絕緣型砷化鎵單晶片水平最高的公司，以VB法生產砷化鎵為主，能夠量產4寸和6寸單晶片；德國Freiberger主要以VGF、LEC法生產2到6英寸砷化鎵襯底，產品全部用于微電子領域；美國AXT產品中一半用于LED，一半用作微電子襯底。國內供應商砷化鎵襯底主要用于LED芯片，少數公司如云南鍺業用于射頻的砷化鎵襯底逐漸放量。國內廠商 ? 三、碳化硅（SiC）-第三代半導體材料 SiC材料作為襯底已實現規?；瘧?，經過外延生長、器件制造等環節，可制成碳化硅基功率器件和微波射頻器件，在碳化硅芯片成本結構中 60%-70%是襯底和外延片，其中襯底約占 40%-50%,是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。（一）產品類別 ? 碳化硅晶片作為半導體襯底材料，根據電阻率不同，可分為導電型和半絕緣型。其中，導電型碳化硅晶片主要應用于制造耐高溫、耐高壓的功率器件，在新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等領域應用多，市場規模較大；半絕緣型碳化硅襯底主要應用于微波射頻器件等領域，如5G通訊、雷達等，隨著 5G 通訊網絡的加速建設，市場需求提升較為明顯。（二）工藝流程 SiC襯底主要制備過程大致分為兩步：第一步SiC粉料（高純硅粉和高純碳粉）在單晶爐中經過高溫升華之后在單晶爐中形成SiC晶錠；第二步通過對SiC晶錠進行粗加工、切割、研磨、拋光，得到透明或半透明、無損傷層、低粗糙度的SiC晶片（即SiC襯底）。（1）原料合成。將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，在2,000℃以上的高溫下反應合成碳化硅顆粒。再經過破碎、清洗等工序，制得滿足晶體生長要求的高純度碳化硅微粉原料。（2）晶體生長。以高純度碳化硅微粉為原料，使用晶體生長爐，采用物理氣相傳輸法（PVT法）或高溫化學氣相沉積法（HTCVD）生長碳化硅晶體。如PVT法將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長爐內圓柱狀密閉的石墨坩堝下部和頂部，通過電磁感應將坩堝加熱至 2,000℃以上，控制籽晶處溫度略低于下部微粉處，在坩堝內形成軸向溫度梯度。碳化硅微粉在高溫下升華形成氣相的 Si2C、SiC2、Si 等物質，在溫度梯度驅動下到達溫度較低的籽晶處，并在其上結晶形成圓柱狀碳化硅晶錠。（3）晶錠加工。將制得的碳化硅晶錠使用 X 射線單晶定向儀進行定向，之后磨平、滾磨，加工成標準直徑尺寸的碳化硅晶體。（4）晶體切割。使用多線切割設備，將碳化硅晶體切割成厚度不超過1mm 的薄片。（5）晶片研磨。通過不同顆粒粒徑的金剛石研磨液將晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。（6）晶片拋光。通過機械拋光和化學機械拋光方法得到表面無損傷的碳化硅拋光片。（7）晶片檢測。使用光學顯微鏡、 X 射線衍射儀、原子力顯微鏡、非接觸電阻率測試儀、表面平整度測試儀、表面缺陷綜合測試儀等儀器設備，檢測碳化硅晶片的微管密度、結晶質量、表面粗糙度、電阻率、翹曲度、彎曲度、厚度變化、表面劃痕等各項參數指標，據此判定晶片的質量等級。（8）晶片清洗。以清洗藥劑和純水對碳化硅拋光片進行清洗處理，去除拋光片上殘留的拋光液等表面沾污物，再通過超高純氮氣和甩干機將晶片吹干、甩干；將晶片在超凈室封裝在潔凈片盒內，形成可供下游即開即用的碳化硅晶片。（三）關鍵技術晶片尺寸越大，對應晶體的生長與加工技術難度越大，而下游器件的制造效率越高、單位成本越低。目前國際碳化硅晶片廠商主要提供4英寸至6英寸碳化硅晶片， CREE、 II-VI 等國際龍頭企業已開始投資建設8英寸碳化硅晶片生產線。碳化硅襯底制造的核心關鍵技術點包括電子級高純粉料合成與提純技術、數字仿真技術、單晶生長技術、單晶加工（切拋磨）技術。碳化硅襯底配方改進困難、晶體生長緩慢、成品良品率低。 1.高純粉料高純碳粉是生長高質量SiC晶體的基礎，尤其對半絕緣型SiC晶體生長有至關重要的影響，涉及到制備技術、合成技術和提純技術。其中高純度碳粉提純對工藝要求極高，而合成涉及到的配方技術需要長時間的摸索和積累。 2.數字仿真技術碳化硅晶體制作中的數字仿真 ? 單晶生長溫度在2350-2500度，由于爐內溫度不可測量，通過高精度數字仿真技術可以節約大量的研發時間和成本，仿真水平的高低也直接代表單晶企業的核心技術能力。3.單晶生長技術單晶生長緩慢是碳化硅襯底成本高居不下的重要原因。目前Cree和國內主流廠家都采用PVT物理氣相傳輸法。由于碳化硅晶體生長速度遠慢于硅晶體，8寸硅晶圓2-3天可以生長至1-2米，而碳化硅4寸晶圓一周只能生長2-6cm。影響晶體生長的一個重要因素是籽晶繁殖，籽晶是和碳化硅單晶晶體具有相同晶體結構的“種子”晶片，是晶體生長之源，晶體生長附著凝結于仔晶之上。籽晶生長是碳化硅制備的核心技術，也是評判所有碳化硅襯底企業的核心技術之一，籽晶一般不對外銷售。碳化硅單晶生長工藝 ? 4.單晶加工技術由于碳化硅硬度非常高且脆性高，使得打磨、切割、拋光都耗時長且良品率低。硅片切割只用幾小時，而6寸碳化硅片切割要上百小時。 ? （四）國內襯底價格和趨勢目前市場4英寸碳化硅襯底比較成熟，良率較高，同時價格較低，而6英寸襯底價格由于供給少和成片良率低，價格遠遠高于4寸片。未來推動碳化硅襯底成本降低的三大驅動力：工藝和設備改進以加快長晶速度；缺陷控制改進提升良率；設計改進降低使用器件的襯底使用面積。國內碳化硅襯底價格及趨勢（五）全球競爭格局目前SiC晶片市場主要由美、歐、日主導，中國企業開始嶄露頭角。據Yole預測，2017-2023年，SiC的復合年增長率將達到31%，2023年達到約15億美元市場規模。根據半導體時代產業數據中心《2020年中國第三代半導體碳化硅晶片行業分析報告》數據，2020上半年全球半導體SiC晶片市場中，美國CREE出貨量占據全球45%；歐洲企業在SiC器件的設計開發領域較強，主要企業有Siltronic、意法半導體、IQE、英飛凌等；日本的技術力量雄厚，產業鏈完整，代表企業有松下、羅姆、住友電氣、三菱

查看詳情 

聯系我們

地址

東莞市松山湖園區工業南路14號天安云谷9號樓804室

電話

田多勝 18928218666

郵箱

zonewe999@126.com

常用磨料的種類及用途有哪些？

磨料磨具的分類有哪些？

化合物半導體襯底材料研究報告

常用磨料的種類及用途有哪些？

磨料磨具的分類有哪些？